各部設計   2002/10/23　整流器バグ修整

3.2.1

�B片チャンネル１０Ｗ程度のパワ−も必要ですので、５ＫΩのトランスで考えますと、ロ−ドライン＝１．２５Ｋから、Ｅｐ−Ｉｐ動作曲線よりトランス１次側で９Ｗ／３００Ｖの最大出力が得られることがわかります．この場合必要なグリッド入力はかなり深く、３２Ｖ程度必要となります．（６４Ｖp-p値）

次に位相反転段ですが
所要ＮＦＢ＝約２．８（９dB）として、６ＢＭ８のみでアンプを構成しようとするとドライバ−段から前のゲインの検討は、かなり大変です。

�@フロントが３極管で、位相反転がＰ−Ｋ分割のアルテック型構成をとりますと（μ＝７０　増幅度約５０前後として）ＮＦＢ＝約２．８（９dB）から、１．８Ｖ前後で最大出力が得られそうです。

�A差動型で位相反転段のみの構成をとりますとゲインは半分に減り、（μ＝７０　増幅度約５０／２＝２５前後）最大出力を得るためには３．５Ｖ前後の入力を必要といたします．しかしながら、差動型は諸特性がよく、概ね良好な結果が得られますので本機も位相反転段のみで構成し、これに半導体の定電流回路を付加した差動型回路を採用します．
．
�Bこの構成ではかなり低感度ですが、使用目的によって、ゲインが不足する場合はアルテック型に変更してもよいので、差動型で位相反転のみの構成をとります。ＣＤ用途として考えるなら成り立ちます。時定数の配慮は低域２段高域３段となります．

�C位相反転段だけなので、ここでできる限りゲインを稼がなければなりません。時定数が低域２段なので、高域特性よりゲイン優先で、プレ−ト負荷を１２０ＫΩと大きめにして６ＢＭ８（３）のＥｐ−Ｉｐ動作曲線にロ−ドラインを引き、ゲインを求めてみます．
Eｃの変化量　△２．２５付近±１．２５＝△１〜△３．５でのプレ−ト電圧の変化量は１１５Ｖから２３５Ｖありますので　

　∴（２３５−１１５）÷（３．５−１．０）＝４８
と≒５０倍になります。

ＮＦＢで約１／２．８倍、差動でゲインが半分になりますので最大出力時の所要入力電圧は（３２Ｖ÷（４８÷２））×２．８＝３．７Ｖ
となります。

�D定電流回路はこだわりますと真空管を使ってもいいんですが、ここでは一般的で飽和特性のいい２ＳＫ３０（Ｊ−ＦＥＴ）を使って定電流ダイオ−ドをつくり簡単に済ませます。しかしながら特性的には十分で上下のゲイン差はほとんどなく差動回路がほとんど同時にクリップします。簡単にできるのなら、半導体アンプのいいところは取り入れましょう。一度採用しますと使わないのはソンと思うようになります。差動回路は定電流源が命です。

 ＾＾ｖ　ﾀﾞﾏｻﾚﾀ  ﾄ  ｵﾓｯﾃ  ﾂｶｯﾃﾐﾃﾈ.  

�E高域特性はかなり厳しく、ざっと計算すると６０KHZ前後となります。