Hazardos Chemical Operations       　　　　　　　
　　　Update on 10/17/2002
       Operation
Corrsive Acid/Base
          Solvent      Gas RF-Plasma        Rinse/Other       Location
1.a. Lead clean
 b. Rinse after all  operations		    Acetone or IPA, Ultrasonic optional    Or DI water, 
 Ultrasonic 
 optional
Wet sink
2.a. Plastic 
   Package
   Decap		  Sulphuric, Hot, 270 C      
  Jet etcher
 b. Plastic 
     Package
  Decap		  Nitric, Fuming, 
 50 C-80 C		      
   Wet sink
 c. Plastic 
     Package
  Decap		       O2/AR (days)  
Plasma etcher
3.  Cerdip 
    Decap
   (Boe pkg-Mil)		         By product BeO dust 
   Mech
   Work
   Table
4.  Topside
   Passivation
  Clean		  PAD etch
 or BOE:
 15-30 Sec		  or Acetone
 or IPA,
 Ultrasonic		  or O2/AR
 (minutes)		 or DI Water,
 Ultrasonic
 Wet sink
5. a. Topside
       Passivation Strip: 
  VAPOX		      CF4/O2 + O2
 0.65 tor, 7-10 min		  
Plasma etcher
5. b. Nitride       CF4/O2 + O2
  0.65 tor, 7-10 min		  
Plasma etcher
5. c. Finish
      Passivation Strip if incomplete		  PAD etch
 or BOE:
 15-30 Sec		      
Wet sink
6.  Die
    Hot spot
    Analysis		        Liquid Crystal Analysis
 Electrical
 Bench
7.  Top 
     Layer
     Metal Strip		  CME, hot, 70 C
 approx. 2-6 min		      
 Wet sink
8.  Intermetal 
    Dieelectric
    (IMD) strip		  PAD etch
 or BOE: approx:
 5-8 min		      
Wet sink
9.  Bottom Layer     Metal   CME, hot, 70 C
 approx. 2-6 min.		      
Wet sink
10. Strip to
     Silicon 
     All metal
     Levels		   Caro's Acid
  ("Piranna etch")
  H2So4/H2O2		      
Wet sink
11.a. Stain 111
Silicon 
defects		  Sirtl Etch
 CrO3 (50%), 
 + HF , 1:1
 (no storage)
 3-5 min.		      
Wet sink
11. b. Stain 100      Silicon 
defects		  Secco Etch
 K2Cr2O7 (4.4%), 
 + HF , 1:2
 (no storage)
 8 - 10 min.		      
Wet sink
11. c. Stain 
        111-100
        Silicon 
        defects		  Wright Etch
 CuNo3(3.3%):2 
 + CrO3(50%):1 
 + DI:3
 + Nitric:2
 + Acetic:2
 ( 6. mos. stor.
, 10-15m.		      
Wet sink
12. Polysilicon
Removal:
 (decreate
poly gate)
 a. Top metal
b. LTOs:IM
& Metal-Poly
 c. BOT'M METL
d. poly 
 
 

 a. CME, 70 C
 b. BOE
 c. CME, 70 C
 d. KOH, 60 C

      
Wet sink
13. Junction
(N+, P+)		  DASH etch
 HF(1%) + NO2H(10%)
 CH3CooH) 10%		      
Wet sink
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