Technical Papers

• Yoshihiro Kokubun, Toshiyuki Kaeriyama, Hideo Watanabe, Masanobu Wada : “Green Electroluminescence of CdS Diodes at Room Temperature” Japanese Journal of Applied Physics Vol. 14 Issue 9, 1975, pp1403
• 帰山敏之、石本裕紀、今村洋一郎：“Tiセルフアラインドシリサイデーション技術(Ti Self-Aligned Silicidation Technology) ”, Proceedings of the 29th Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology, Tokyo, Dec. 5-6, 1985, pp.55-60
• 帰山敏之：“真空蒸着・スパッタリング装置”　電子材料1987別冊　1988版　超LSI製造・試験装置　ガイドブック　工業調査会　pp.111-117
• 今村洋一郎、帰山敏之：“Clad Moat上のC/T Systemの熱的安定性” 1988年（昭和64年）春季　第35回応用物理学関係連合講演会 28a-V-8 p.606
• 浜本和浩、帰山敏之：“Si/TiSi2/TiW/AlSi(1%)におけるTiWのバリア効果” 1988年（昭和64年）春季　第35回応用物理学関係連合講演会28p-V-11 p.610
• T. Bonifield, S. Crank, R. Gale, J. Graham, C. Huffman, B. Juha, G. Smith, M. Yao, S. Aoyama, Y. Imamura, K.Hamamoto, H. Kawasaki, T. Kaeriyama, Y. Miyai, M. Nishimura and M. Utsugi, “A 2.0 micron Pitch Triple Level Metal Process using CVD Tungsten”, 1988 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers, IEEE Cat. No.88 CH-2597-3 May 10-13 San Diego, 1988 pp. 101-102
• Hideki Kitagawa, Takayuki Maeda, Shinya Murata, Tatsuro Maki, Toshiyuki Kaeriyama, Adin Hyslop, and Aki Nishimura, “Plastic Packaging Stres-Induced Failures in TiW/Al-Si Metal-to-Silicide Contacts” 1988 IEEE/IRPS pp.71-75
• 帰山敏之：“高温放置試験によるC/T-Al:Si systemの信頼性”、1989年（平成元年）春季　第３６回応用物理学会関連連合講演会　講演予稿集 4p-ZF-6, p.743
• Toshiyuki Kaeriyama, “Ti Self-Aligned Silicidation Technology”, Technical Proceedings Semicon/Osaka 1989 June 22-23 Osaka, Semiconductor Equipment and Materials International, June 23 1989, pp.163-172
• 帰山敏之：“Fe表面汚染のCDEエッチされたSiの表面粗さに及ぼす影響”1993年（平成5年）春季　第40回応用物理学関係連合講演会 No.2 29p-ZW-14 p.656
• Toshiyuki Kaeriyama, “Application of Perfluoropolymer Film Passivation for Digital Micromirror Device” pp.32-35 Texas Instruments Corporate R&D Technical Conference August 19-20, 1996
• Muranaka Masaya, Miura Masashi, Iwai Hidenori, Kawakita Masao, Tadaki Yoshitaka, Kaeriyama Toshiyuki: “The Analysis of Defective Cell Induced by COP in 0.3 microns Technology Node DRAM” Extended abstracts of the Conference on Solid State Devices and Materials 1997, 396-397, 1997-09-16
• 只木芳隆、関口敏宏、村田純、村中雅也、三浦真史、真壁一也、帰山敏之、超成洙、湯原克夫：“高集積DRAM構造の検討”　社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告　SDM, シリコン材料・デバイス　Vol.97, No.240(19970826) pp39-43
• Masayuki Muranaka, Kazuya Makabe, Masashi Miura, Hideaki Kato, Seihachi Ide, Hidetoshi Iwai, Masao Kawamura, Yoshitaka Tadaki, Masamichi Ishihara and Toshiyuki Kaeriyama, “The Analysis of the Defective Cells Induced by COP in 0.3-micron-technology Node DRAM”, Jpn.J.Appl.Phys. Vol.37(1998) pp.1240-1243 Prat1. No.3B,30 March 1998
• 歸山敏之：“MEMSディスプレイ”、電気学会誌 120巻11号2000年 pp.677-679
• Toshiyuki Kaeriyama, Ikuo Matsukura,“Dark Perfluoropolymer Film for DMD Application”, 17th Texas Instruments Japan Technical Meeting 11/9 2000
• 歸山敏之：“ディスプレイにおけるMicro-Optical Electromechanical System(MOEMS)” MATERIAL STAGE Vol.2,No.6 2002 pp,56-63
• Toshiyuki Kaeriyama,“Memory phenomenon in torsion hinge of MOEMS DMD”, 6/23 2003 (Texas Instruments Private Communication)
• 歸山敏之： “11a-D8-9 室温でガラス化硬化するSiO2膜の封止スペース内形成” The 62nd JSAP Spring Meeting, 05-010, 2015 3/11
• 歸山敏之： “22p-H103-8 室温において封止スペース内に形成したSiO2 接着層の封止性” The 63rd JSAP Spring Meeting, 04-357, 2016 3/22
• 歸山敏之：“16p-P14-1 MEMS 光位相変調装置に関する検討”, The 64th JSAP Spring Meeting, 03-535, 2017 3/16
• 歸山敏之：“19a-P2-4 MEMS 双安定光位相変調器を使用した場合の位相多重ホログラフィーによるデジタルデータの書き込みと読み取りの検討”, The 65th JSAP Spring Meeting, 03-344, 2018 3/19
• 歸山敏之：“MEMS双安定光位相変調素子-スパッタ堆積Al薄膜による片持ち梁停止板設計”, 35th "Sensor Micromachine and Application System" Symposium, IEEEJ 電気学会E部門大会・センサシンポジウム, 札幌市民交流プラザ 2018.10.30
• 歸山敏之：“位相多値ホログラフィーメモリにおける 3 ビットデジタルデータ記録・再生への位相光波の1設計”,第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 10a-PA1-3, 03-246, 2019 3/10
• 歸山敏之：“マイクロミラー位置を設定するスタックカンチレバー停止板の設計”,電気学会E部門総合研究会 マイクロマシン・センサシステム研究会, MSS-22-026, 2022 6/7
• 歸山敏之：“位相格子によるフラウンホーファー回折光偏向の検討”,日本光学会　第49回光学シンポジウム,講演番号16 2024 6/21
• 歸山敏之：“マイクロミラー位相格子によるフラウンホーファー-/+1次回折光の離散偏向検討”,日本光学会　第51回光学シンポジウム, 講演番号2 2026 6/18

改定日: 6/20 2026