Junzo TAKAHASHI（高橋純三）

1. Flux Peaking of Channeled Ions in Interstitial Compounds NbO and ZrO _l/3; S. Yamaguchi, Y. Fujino, K. Ozawa, K. Doi, J. Takahashi, M. Koiwa and M. Hirabayashi, Phys. Lett. 57A(1976)460.

2. Temperature Dependence on the Thermal Vibration of Deuterium in Pd_0.8Au_0.2 Alloy Studied by Ion Channeling; J. Takahashi, K. Ozawa, S. Yamaguchi, Y. Fuiino, O. Yoshinari and M. Hirabayashi, phys. stat. sol.(a)46(1978)217.

3. Lattice Location Study of Deuterium in Pd0. 8Au0.2 and Ta Crystals by Ion 　　　　　 Channeling; J. Takahashi, S. Yamaguchi, M. Koiwa, Y. Fujino, O. Yoshinari and M. Hirabayashi, Rad. Effects, 36(1978)135.

4. A Lattice Location Study of Oxygen in Vanadium by 1-MeV Deuteron Channeling; J. Takahashi, M. Koiwa, M. Hirabayashi, S. Yamaguchi, Y. Fujino, K. Ozawa and K. Doi; J. Phys. Soc. Japan, 46(1978)1690.

5. An Ion Channeling Study of NbO Crystals I: General Investigation; Y. Fuiino, S. Yamaguchi, M. Koiwa, M. Hirabayashi, J. Takahashi, K. Ozawa and K. Doi, Rad. Effects, 40(1979)221.

6. An Ion Channeling Study of NbO Crystals II: Neutron and Deuteron Radiation 　　　Damage; S. Yamaguchi, M. Koiwa, M. Hirabayashi, Y. Fujino, J. Takahashi, K. Ozawa and K. Doi, Rad. Effects, 40(1979)231.

7. Lattice Location of Si and Al Dissolved in Cr by Proton Channeling and Induced X-ray Emission; J. Takahashi, S. Yamaguchi, Y. Fujino, J. Mizuki, Y. Endo and K. Ozawa, J. Phys. Soc. Japan, 49(1980)1480.

8. Etude du Gallium par Projection Canaligraphique; J. Takahashi and J. Mory, C. R. Acad. Sc. Paris, t.232, serie 1123.

9. Channeling Study of Low-Z Impurities Dissolved in Metals; J.Takahashi, Nucl. 　　 Instr. and Meth. 194(1982)l87.

10. Lattice Location of Deuterium Implanted in Pd0.8 Au0.2; J. Takahashi, E. Ligeon and R. Danielou, Phys. Lett. 88A(1982)183.

11. Projectile Charge-state Dependence of Recoil-ion Charge-state Distributions Produced in Heavy-ion Collisions; T. Tonuma, M.Kase, T. Kambara, H. Kumagai, T. Matsuo, J. Urakawa, H. Shibata, J. Takahashi, S. Ozkok, S. H. Be, I. Kohno and H. Tawara, J. Phys. B: At. Mol. Phys. 17(1984)L317.

12. Target Atomic Number Dependence of Simultaneous K-shell L-shell Ionization of Projectile Heavy Ions; Y. Awaya, T. Kambara, M. Kase, H. Shibata, H. Kumaai, K. Fujima, J. Urakawa, T. Matsuo and J. Takahashi, Nucl. Instr. Meth. Phys. Research, B10/11(1985) 53 .

13. Angular Distribution of Ti K X-Rays and Sn L X-Rays Induced by 6 MeV/nucleon N-ion Impact; A. Hitachi, Y. Awaya, T. Kambara, Y. Kanai, M. Kase, H. Kumagai, J. Takahashi, T. Mizogawa and A. Yagishita, J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys. 24(1991)3009.

14. Photoluminescence Study of Undoped, Sn-Doped and S-Doped InP Single Crystals; T. Inoue and J. Takahashi, Jpn. J. Appl. Phys., 26(1987)L249.

15. Growth of Bi/Sb Superlattice Films and RHEED Observation; J. Takahashi and T. Miyagawa, J. Vac. Soc. Jpn. 35(1992)350( in Japanese).

16. Growth of Bi/Sb Superlattice; J. Takahashi, T. Miyagawa, M. Araki and T. Obata, Jpn. J. Appl. Phys. 31(1992)L1110.

17. Epitaxial Growth of Bi/Sb Superlattice; J. Takahashi and T. Miyagawa, Jpn. J. Appl. Phys. 31(1992)L1114, Errata; L1510.

18. Anomalous thermoelectric power of Bi/Sb multilayer films and related transport phenomena; I. Yoshida, S. Tanuma and J. Takahashi, J. Mag. Mag.Mat.126(1993)608.

19. Study of Compound Semiconductor Devices for Telecommunications; J. Takahashi and T. Matsui, Report of invited researchers of Telecommunications Advancement Organization of Japan,(1997),p239( in Japanese).

20. Study of Surface Treatment of Silicon Wafer Using Small Angle Incident X-Ray Photoelectron Spectroscopy; M. Mayusumi, M.Imai, J. Takahashi, K. Kawada and T. Ohmi, J. ElectroChem. Soc., 146(1999)2235.

1. Channeling Study on Thermal Motion of Deuterium in Palladium Alloy; J.Takahashi, K. Ozawa, S. Yamaguchi, Y. Fujino, O. Yoshinari and M. Hirabayashi, Proc. 7th Int. Conf. Atomic Collision in Solids, (1977), Moscow.
2. Deuterium Trapping by Radiation Induced Defects in V, Nb and Ta; S.Yamaguchi, O. Yoshinari, J. Takahashi, Y. Fujino, K. Ozawa, M. Koiwa and M. Hirabayashi, 2nd JIM Int.Symp. Hydrogen in Metals, (1979), Minakami, p249.

3. Angular Distribution of Au L X-Rays by Heavy Ion Impact; J.Takahashi, Y. Awaya, T. Kambara, M. Kase, H. Kumagai, J. Urakawa,T. Matsuo and H. Shibata, Int. Conf. Phenom. Electron and Atomic Collisions,Berlin,1983.

4. Thermoelectric Properties of Multilayer Films of Semimetals; I. Yoshida, S. Tanuma, T.Irie and J. Takahashi, 12th Int. Conf. on Thermoelectrics, Yokohama, (1993), p84.　
5. Silicon Surface Cleaning for Low Temperature Silicon Epitaxial Growth; M. Mayusumi, M. Imai, S. Nakahara, K. Inoue, J. Takahashi and T. OhmiI, submitted to UCPSS(1998).　

1. 私のフランス滞在記----フォンテネオローズ原子力研究所にて----、日仏工業技術、30(1984)23.

2. 化合物半導体の評価、ELECTRONICS & MATERIAL NIKKO, (1985), p8.

3. GaAs電子デバイスの研究、INTER 6-4164-01(1986).

4. GaAsデバイスの現状と問題点、（社）日本電子工業振興協会、電子材料評価法調査報告１（60-Ｍ-237）、ｐ67.

5. 電気的評価（Vth）、（社）日本電子工業振興協会、電子材料評価法調査報告２（61-Ｍ-254）、ｐ179.

6. HBT, PBT, SIT、（社）日本電子工業振興協会、量子効果デバイスに関する調査研究報告書Ｉ（63-Ｍ-300）、ｐ140.

7. 光励起成長技術、（社）日本電子工業振興協会、量子効果デバイスに関する調査研究報告書ＩＩ（89-基-8）、ｐ17.

8. 実践的物理学のすすめ、大学の物理教育、96-3号、p57.

１．ＧａＡｓ単結晶の熱処理方法

　　　亀山武彦、高橋純三

　　　特願昭62-231503( 特許第1813526号)

２．化合物半導体単結晶の熱処理方法

　　　高橋純三、佐藤賢次、亀山武彦

　　　特願昭62-231504( 特許第2075705号）

３．化合物半導体単結晶の熱処理方法

　　　亀山武彦、高橋純三

　　　特開平1-072999

４．化合物半導体単結晶の熱処理方法

　　　高橋純三、佐藤賢次、亀山武彦

　　　特公平7-076160

５．接合型半導体装置の製造方法

　　　高橋純三、亀山武彦

　　　特開平3-110832

６．化合物半導体の熱処理方法

　　　高橋純三、亀山武彦

　　　特開平3-110833

７．イオンアシスト蒸着による薄膜形成方法

　　　高橋純三ほか５名

　　　特願平2-253112

８．薄膜の形成方法

　　　高橋純三ほか６名

　　　特願平3-258120

９．薄膜の形成方法

　　　高橋純三ほか６名

　　　特願平3-258123

１０．積層サーモパイル及びその製造方法

　　　高橋純三、石川勇夫

　　　特開平6-260686

１１．温度測定素子及び温度測定方法

　　　吉田育之、田沼静一、高橋純三

　　　特開平6-265414( 特許第2730662号）

１２．温度測定素子及び温度測定方法

　　　吉田育之、田沼静一、高橋純三

　　　特開平7-286908( 特許第2771450号）

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　以上