Updated on 10/23/2002
| 略語 | 英語名 | 日本語名 | 入力 | 検出 | 分解能 | 価格範囲 |
| AEAPS | Auger Electron Appearance
Spectroscopy |
オージェ電子出現電圧分光法 | 電子
（0.1~2keV） |
オージェ電子 | （厚）数〜数１０ A（ｵﾝｸﾞｽﾄﾛｰﾑ） | |
| AES | Auger Electron Microscopy | オージェ電子分光法 | 電子
（0.1~5keV） |
オージェ電子 | (径）0.1~1mm
(厚）10〜20 A |
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| AEM | Analytical Electron Microscopy | 分析型電子顕微鏡 | 電子
（100~200keV） |
電子（透過、回折） | (径）数 A | |
| AEM | Accoustic Emission Monitering | 音響放出観測法 | - | 音響 | 音響信号>= 10-W | |
| ARAES | Angle-resolved AES | 角度分解オージェ電子分光法 | 電子
（0.5~10keV） |
オージェ電子 | (径）>500 A
(厚）数〜20 A |
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| ARUPS | Angle-resolved UPS | 角度分解真空紫外光分光法 | 光電子（紫外線、
4〜40eV) |
光電子 | (径） 1mm
(厚）単原子層 |
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| ARXPS | Angle-resolved XPS | 角度分解X線励起電子分光法 | X線（数〜10keV) | 光電子 | (径） 1mm
(厚）〜5 A |
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| CL | Cathode Luminescence | カソードルミネセンス法 | 電子
（数〜数十keV） |
光子 | 径） ＞0.5μm
(厚）〜5 A |
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| DAPS | Disappearance Potential Spectroscopy | 弾性散乱電子消滅電圧分光法 | 電子
（数十〜1keV） |
散乱電子 | − | |
| DLTS | Deep Level Transient Spectroscopy | - | 順方向ﾊﾞｲｱｽ
ﾊﾟﾙｽ電圧 |
接合容量 | トラップ濃度>=10^13cm(-3) | |
| EBIC | Electron Beam Induced Current | 電子励起電流法 | 電子
（10〜40keV） |
電流 | 径） 1〜数μm
(厚） 数μm |
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| （E)ELS | (Electron)Energy Loss Spectroscopy | 電子エネルギー損失分光法 | 電子
（数十keV） |
電子（透過、回折） | 径） >100 A(STEMの場合）
(厚） 単原子層(STEMの場合） |
|
| EDX | Energy Dispersive X-ray Spectroscopy | エネルギー分散X線分光法 | X線
（数十〜30keV） |
電子 | (径） >100 A(STEMの場合）
(厚） 0.3〜数μm(物質依存） |
|
| EL | Electroluminescence | 注入発光法 | 電流 | 光 | 空間分解する場合はPL法を使用 | |
| EPMA | Electron Probe Micro Analysis | 電子ﾌﾟﾛｰﾌﾞ微小分析法 | 電子
（数〜50keV） |
特性X線 | (径） >0.5μm
(厚） 0.3〜数μm（ｴﾈﾙｷﾞｰ物資依存) |
|
| EPR | Electron Paramagnetic Resonance | 電子常磁性共鳴法 | 電磁波（〜10MHz) | 電磁波 | − | |
| ER | Electroreflectance | 反射光電界変調分光法 | 光、電界 | − | エネルギーは数eVの精度 | |
| ESCA | Electron Spectroscopy for Chemical
Analysis |
化学分析のための電子分光法 | − | − | − | |
| ESR | Electron Spin Resonance | 電子スピン共鳴法 | 電磁波（〜10MHz) | 電磁波 | − | |
| EXAFS | EXtended X-Ray Absorption Fine
Structure |
拡張X線吸収微細構造解析法 | 白色X線
（数十〜20keV） |
散乱X線 | (厚） 数μm | |
| FEM | Field Emission Microscopy | 電界放射顕微鏡 | 電界（-数十keV） | 中性原子 | (径）数十 A
(厚）単原子層 |
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| FIM | Field Ion Microscopy | 電界イオン顕微鏡 | 電界（-数十keV） | イオン化原子 | (径）数〜数十 A
(厚）単原子層 |
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| HVEM | High Voltage Electron Microscopy | 高電圧電子顕微鏡 | 電子(0.5MeV以上） | 電子（透過、回折） | (径）数十 A | |
| IBS | Ion Back Scattering | - | - | - | - | |
| I(M)MA | Ion Microprobe (Mass) Analysis | - | イオン(Ar,O,Cs等）
（数〜30keV） |
二次イオン | (径）1〜2μm 表面電離型イオンで
0.1μm (厚）数十〜100A |
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| ISS | Ion Scattering Spectroscopy | 低速イオン散乱分光法 | H+イオン（100〜1,000eV) | 散乱イオン | (厚）〜数A | |
| IR | Infrared Absorption Spectroscopy | 赤外吸収分光法 | 光子（赤外 2.5〜16μm) | 光子（透過） | （波数） >0.1cm＾3 | |
| LEED | Low Energy Electron Diffraction | 低速電子線回折法 | 電子 （15〜500eV） | 電子（回折） | (厚）単原子層 | |
| LEELS | Low Energy Electron Loss
Spectroscopy |
低速電子エネルギー損分光法 | 電子 （<=数百eV） | 電子 | - | |
| MBS | Molecular Beam Scattering | 分子線散乱法 | 分子(He, H2) | 分子（回折） | （厚）単原子層 | |
| MEED | Medium Energy Electron Diffraction | 中速電子線回折法 | 電子
（数百eV〜数十keV） |
電子（回折） | (厚）数十〜数百A | |
| NMR | Nuclear Magnetic Resonance | 核磁気共鳴法 | 電磁波 | 電磁波 | - | |
| PAS | Photoacoustic Spectroscopy | 光音響分光法 | 光 | 音響 | (径）数μm 表面吸着層や
粉体も測定可能 |
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| PIXE | Particle-induced X-ray Emission | 粒子線励起X線放射分析法 | H+,H- ｲｵﾝ（１〜3MeV) | 特性X線 | (厚）数十〜数百A | |
| P(H)C | Photocurrent (Photoconductance) | 光電流法（光伝導度法） | 単色光 | 逆方向電流 | トラップ濃度 ＞＝１０＾１３ ｃｍ＾(-3) | |
| PHCAP | Photo-Capacitance | 光容量法 | 単色光 | 接合容量 | トラップ濃度測定はP(H)Cより正確 | |
| PL | Photoluminescence | 光励起発光法 | 光 | 光 | （径）数μm 深さは光吸収長で決まる | |
| PXS | Particle-induced X-ray Spectroscopy | 粒子励起X線分光法 | - | - | - | |
| RBS | Rutherford Back Scattering | ラザフォード後方散乱法 | H+,H- ｲｵﾝ（数百eV〜数MeV) | 散乱イオン | (厚） 50〜200A (重元素ほど小） |
| 略語 | 英語名 | 日本語名 | 入力 | 検出 | 分解能 | 価格範囲 |
| RHEED | eflective High Energy Electron
Diffraction |
反射高速電子線回折法 | 電子（数十keV以上） | 散乱電子（回折） | （厚）数原子層〜数百A | |
| SAM | Scanning Auger Microscopy | 走査型オージェ電子顕
微鏡 |
電子 （3〜20keV） | オージェ電子 | (径）>= 500A
(厚）数〜20A |
|
| SAES | Scanning Auger Electron Microscopy | 走査型オージェ電子分
光法 |
電子 （3〜20keV） | オージェ電子 | (径）>= 500A
(厚）数〜20A |
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| SEM | Scanning Electron Microscopy | 走査型電子顕微鏡 | 電子 （5〜50keV） | 二次電子
反射電子 |
(径）>= 30A | |
| SIMS | Secondary Ion Mass Spectroscopy | 二次イオン質量分析法 | イオン(Ar,O)
（数百eV〜10keV) |
二次イオン | (径）100〜 500μm
(厚）単〜数原子層 |
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| SPV | Surface Photovoltaic | 表面光励起法 | 光 | 光起電力 | (径）数μm | |
| SR | Spreading Resistance | 広がり抵抗法 | 電圧 | 電流 | （幅、厚）数μm | |
| STEM | Scanning Transmission Electron
Microscopy |
走査透過型電子顕微鏡
法 |
電子 （数十〜200keV） | 電子（透過、回折）
二次電子 |
(径） 〜10A
(厚）数十A |
|
| Strobo
SEM |
Stroboscopic SEM | ストロボ走査型電子顕微鏡
法 |
電子 （数〜30keV） | 二次電子 | (径） 〜30A | |
| SXAPS | Soft X-ray Appearance
Spectroscopy |
軟X線出現電圧分光法 | 電子 （100eV〜数keV） | 特性X線 | - | |
| TEM | Transmission Electron Microscopy | 透過型電子顕微鏡法 | 電子 （30〜200keV） | 電子（透過、回折） | (径） 〜数A
(厚）〜50A（ステレオ像） |
|
| TSC | Thermally Stimurated Current | 熱刺激電流法 | 順方向バイアス電圧 | 逆方向電流 | トラップ濃度 ＞＝１０＾１３ ｃｍ＾(-3) | |
| TSCAP | Thermally Stimurated Capacitance | 熱刺激容量法 | 順方向バイアス電圧 | 接合容量 | トラップ濃度測定はTSCより正確 | |
| TSSP | Thermally Stimulated Surface
Potential |
熱刺激表面電位 | 順方向バイアス電圧 | 開放電位 | 界面準位密度
>= 10^10eV(-1)cm(-2) |
| 英略語 | 英語名 | 日本語名 | 入力 | 検出 | 分解能 | 価格範囲 |
| UPS | UltravioletPhoto-emission
Spectroscopy |
真空紫外光電子分光法 | 光子（紫外線、4〜40eV） | 光電子 | (厚）単原子層 | |
| WDX | Wavelength Dispersive X-ray
Spectroscopy |
波長分散X線分光法 | X線（数〜数十keV) | X線（回折) | (径）数μm
(厚） 0.3μm（ｴﾈﾙｷﾞｰ、物質依存） |
|
| XD | X-Ray diffractometry | X線回折法 | X線 | X線（回折) | (厚） 0.1〜数十μm | |
| XDS | X-Ray Diffuse Scattering | X線散漫散乱法 | X線 | 散乱X線 | (厚） 0.1〜数μm | |
| XMA | X-Ray Microprobe Analysis | X線マイクロプローブ分析法 | 電子 （数〜50keV） | 特性X線 | (径） >0.5μm
(厚） 0.3〜数μm |
|
| XPS | X-Ray Photo-emission Spectroscopy | X線励起光電子分光法 | X線(数〜10keV) | 光電子 | (厚) 10〜数十A | |
| XRC | X-Ray Rocking Curve | X線ロッキングカーブ法 | X線 （数〜30keV） | X線（回折） | (厚) 0.1〜数十A | |
| XRFS | X-Ray Fluorescence Spectroscopy | 蛍光X線分光分析法 | X線、RI線源(10〜100keV) | 特性X線（回折） | （厚）0.1〜数μm | |
| XRT | X-Ray Topography | X線トポグラフ法 | Ｘ線(数〜30keV) | X線（回折） | (径） 〜5μm
(厚） 〜10μm（ｾｸｼｮﾝﾄﾎﾟｸﾞﾗﾌ） |
| 略語 | 英語名 | 日本語名 | 入力 | 検出 | 分解能 | 価格範囲 |
| RTX | Real-time X-ray | エックス線解析装置 | X 線 | X線 | (径） 〜数μm | 1700- |
| LVP | Laser Voltage Probe | レーザー電圧プローブ？ | 赤外光 | 光（波長） | (径） >１μm？ | |
| SEAM | Scanning Electron Acoustic Microscopy | 走査型電子音響顕微鏡？ | 電子 （数百kHz信号、keV） | 音響 | (径） 〜数十μm | |
| SCOBIC | Single Contact Optical Beam
Induced
Current |
? | ﾚｰｻﾞｰ光（633nm,1152nm
HeNe) |
電流 | (径） 〜数μm | |
| PLM | Polarized Light Microscopy | ? | 光 | 光 | (径） >0.1μm | |
| TDR | Time Domain Reflectometry | ? | 電圧 | 電圧 | (径） 3〜5 ｍm | |
| PVC | Passive Voltage Contrast | パッシブ電圧コントラスト法？ | 電子 | 二次電子 | (径） 〜<μm | |
| UVRS? | UV Reflectance Spectroscopy | 紫外線反射率分光法？ | 光(紫外光） | 光(紫外光） | ？ | |
| IREM | Infrared Laboratories Infrared
Emission
Microscope |
？ | 光(赤外光） | 光(赤外光） | (径） 0.9 〜1.7μm? | |
| C-SAM | C mode Scanning acoustic microscopy | 超音波顕微鏡 | 音響（超音波） | 音響（超音波） | (径） 数百μm? | 1500 |
| FIB | Focused Ion Beam Analysis | 収束イオンビーム解析 | イオン(Ga, 10keV)、金属
堆積も可 |
二次電子 | (径） 〜数μm？ | |
| TIVA | Thermally-Induced Voltage Alteration | ? | 光、レーザーで局所的に
高温にする |
抵抗率変化? | (径） 〜数μm？ | |
| CIVA | Charge-Induced Voltage Alteration | ? | 光、レーザーで局所的に
高温にする |
抵抗率変化? | (径） 〜数μm？ | |
| LIVA | Light-Induced Voltage Alteration | ? | 光、レーザーで局所的に
高温にする |
抵抗率変化? | (径） 〜数μm？ | |
| OBIRCH | Optical-Beam Induced Resistance
Change |
光ﾋﾞｰﾑ励起抵抗率変動法？ | 光、レーザーで局所的に
高温にする |
抵抗率変化? | (径） 〜数μm？ | |
| FMI | Fluorescent Microthermal Imaging | ? | ? | ? | (径） 〜数μm？ | |
| SEI | Seebeck Effect Imaging | シーベック効果イメージング？ | ? | ? | (径） 〜数μm？ | |
| SOM | Scanning Optical Microscope | 走査型光学顕微鏡 | 光、レーザー | 光、ﾚｰｻﾞｰ | (径） 〜数μm？ | |
| SQID-
based MFI |
Superconducting Quantum Interface
Device-based magnetic field imaging |
超伝導量子ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ素子を
利用した磁界映像法？ |
磁気 | 電流 | (径） 〜数mm？ | |
| AFM | Atomic Force Microscopy | 原子間力顕微鏡 | 原子間力 | 電流 | (径） 〜数nm？
(厚) 〜sub-Angstrom |
|
| SCM/
SCS |
Scanning Capacitance Microscopy
Scanning Capacitance Spectroscopy |
走査型容量顕微鏡? | 容量変化? | (径） 〜数 nm？ | ||
| SFM | Scanning Force Microscop | 走査型原子間力顕微鏡 | 原子間力 | 電圧? | (径） 〜数nm？ | |
| EFM | Electrical Scanning Force Microscopy | ? | 原子間力 | 電圧? | (径） 〜数nm？ |
